氫氣發(fā)生器在半導體行業(yè)中的應用

　　半導體制造技術作為信息時代制造的基礎，堪比工業(yè)時代的機床，是整個社會發(fā)展的基石和原動力。在國際產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關鍵時期，我國也提出了《中國制造2025》，以通過智能制造實現(xiàn)由制造大國向制造強國的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎，半導體制造技術正是其制造的核心技術。

　　而氫氣作為半導體制造中的氣源，在半導體材料及器件制備中起到至關重要的作用?？稍诠怆娖骷?、傳感器、IC制造中應用。

　　目前半導體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。

　　退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應力。

　　氫氣也可以應用在化學氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長?；瘜W氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應、氣態(tài)-氣態(tài)反應生成薄膜的設備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等;等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等;電子回旋共振化學氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜;金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。

　　氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應氣體離化后與材料發(fā)生反應生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實現(xiàn)材料圖形化，是半導體器件制備的必備工藝。

　　氫氣發(fā)生器目前已大量應用在以上工藝中，為半導體材料及器件制備提供好的氣源。